Please enter banners and links.

متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق میکروالکترونیک

با عنوان : طراحی و شبیه سازی یک سلف حلزونی قابل تنظیم جدید با تکنولوژی MEMS

در ادامه مطلب می توانید تکه هایی از ابتدای این پایان نامه را بخوانید

و در صورت نیاز به متن کامل آن می توانید از لینک پرداخت و دانلود آنی برای خرید این پایان نامه اقدام نمائید.

دانشگاه ارومیه

دانشكده فني

پايان نامه براي دريافت درجه كارشناسي ارشد

گروه مهندسي برق

پژوهشكده ميكروالكترونيك

طراحي و شبيه سازي يك سلف حلزوني قابل تنظيم جديد با تکنولوژی MEMS

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه : (ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چكيده:

در اين پايان نامه طراحي، شبيه سازي و پروسه ساخت يك سلف حلزوني قابل تنظيم با استفاده از تكنولوژي MEMS مورد بررسي قرار گرفته است. اين سلف حلزوني قابل تنظيم، به منظور استفاده در مدارات RF مانند: نوسان سازهاي كنترل شده با ولتاژ (VCO)، شبكه هاي تطبيق، تقويت كننده ها و… طراحي شده است. در اين طراحي به منظور قابل تنظيم كردن مقدار اندوكتانس سلف، از روش الكترو استاتيك و از حركت يك بازوي پيش آمده بالاي سلف و تغيير مقدار شار مغناطيسي عبوري از آن استفاده شده است. مقدار اندوكتانس اين سلف از 1/581nH به 0/681nH تغيير ميكند . به اين ترتيب قابليت تنظيم مقدار اندوكتانس سلف درحدود 40/93 درصد بدست مي آيد. مقدار ماكزيمم ضريب كيفيت سلف مورد نظر در فركانس 12/5GHz حدود 12/33 و مقدار فركانس رزونانس آن حدود 19/5GHz با شبيه سازي بدست آمد. شبيه سازي ها در اين طراحي با استفاده از نرم افزارهاي  INTELLISUITE7/2, HFSS11, MATLAB7 انجام شد.

فصل اول: مقدمه

1-1- مقدمه اي بر MEMS، كاربردها و مزاياي آن

MEMS يا ميكرو الكترو مكانيكال سيستم در سال 1970 در ايالات متحده بنيانگذاري شده است، به طوري كه در همان زمان و در اروپا اين تكنولوژي را به نام MST يا تكنولوژي ميكروسيستم ميشناختند.

MEMS يك سيستم با ابعاد ميكرو ميباشد كه بصورت دسته اي (مجتمع) ساخته ميشوند و از ميكروساختارها، ميكروسنسورها، ميكروالكترونيك ها و ميكرو راه اندازها تشكيل شده است (شکل 1-1).

اخيراً تكنولوژي MEMS پيشرفت قابل توجهي را در ساخت و تست وسايل جديد كسب كرده است و تكنولوژي هاي نو و كاربردهاي جديدي به واسطه آن بوجود آمده است.

ويژگي هايي مانند وزن كم، اندازه كوچك، مصرف انرژي پايين و پايداري و مقاومت وسايل ساخته شده با اين تكنولوژي روز به روز بر جذابيت و رشد اين صنعت مي افزايد. وسايل MEMS ی بيشماري وجود دارد كه در عرصه هاي مختلفي از علم و مهندسي به طور موفقيت آميزي استفاده شده است. به عنوان مثال ميتوان از كاربردهاي وسايل MEMS در چاپگرهاي سريع، ميكروپمپ ها، آنتن هاي نمايشگر تصوير و شتاب سنج هاي كيسه هوا نام برد كه جايگزين وسايل مرسوم شده و در نتيجه باعث كاهش در هزينه ها شده اند.

در حال حاضر وسايل MEMS توسعه زيادي را در پهنه وسيعي از زندگي داشته اند، كه از آن جمله ميتوان به كاربردهاي دارويي، وسايل كمكي در ديدن و شنيدن، سيستم هاي اندازه گيري و پاشش مقدار معيني از دارو و شبيه سازي عصبي را نام برد.

بازار وسايل MEMS بر پايه سيليكون در سال 2005 به مقدار 5/1 ميليارد دلار رسيد. روند صعودي بازار وسايل MEMS تا سال 2010 در شكل 2-1 پيش بيني شده است. اين در حالي است كه بازار وسايل ديگر MEMS كه بر پايه پليمرها ميباشد و بيشتر معطوف به مشتقات دارويي است در اينجا نشان داده نشده است. بر طبق اين پيش بيني توقع داريم كه اين بازار در سال 2010 به میزان 9/7 ميليارد دلار برسد. يعني نرخ رشد 15% می باشد.

2-1- مقدمه اي بر RF MEMS

همانطور كه در بخش 1-1 ذکر شد MEMS از سال های 1970 براي ايجاد سنسورهاي فشار، دما، شتابسنج و ابزارهايي از اين قبيل ايجاد شد. همچنين سوئيچ هاي MEMS براي كاربردهاي فركانس پايين در نزديكي سالهاي 1980 بوجود آمد. اين سوئيچ ها براي رسيدن به يك اتصال كوتاه يا يك اتصال باز در يك خط انتقال يك جابجايي مكانيكي را انجام ميدهند. اما در سالهاي 1990 – 1991، تحت حمايت DARPA، دكتر لاري لارسون در آزمايشگاه تحقيق هيوز ماليبو، كاليفورنيا، نخستين سوئيچ MEMS (وركتور) را، كه بويژه براي كاربردهاي مايكروويو طراحي شده بود، ايجاد كرد.

نتايج ابتدايي لارسون بسيار مهم بودند بهطوري كه توجه چند گروه را در دولت ايالات متحده تحريك كرد و تا سال 1995 مركز علمي راكول و تكساز ايناسترومنت هر دو يك سوئيچ RF MEMS ایجاد کردند. سوئيچ راكول يك نوع كانتكت متال به متال و مناسب براي كاربردهاي DC-60GHz بود، در حالی که سوئيچ تكساز يك سوئيچ كانتكت خازني بود كه براي فركانس های 10-120GHz مناسب بود. بحث بعدي تاريخچه اين سيستم تا سال 1998، به دانشگاه ميشيگان، دانشگاه كاليفورنيا، بركلي، دانشگاه شمال شرقي، آزمايشگاه لينكلن MIT، دانشگاه كلمبيا، شركت آنالوگ ديوايس و چند شركت معروف ديگر مربوط مي شود كه به طور فعال ابزار RF MEMS را دنبال می کردند.

RF MEMS در 10 سال گذشته در نتيجه مصارف بازرگاني و نظامي يك رشد متحيركننده را تجربه كرده است. دليل اين امر اين است كه پيشرفت هاي عظيمي در ابزارهاي GaAs HEMT (ترازيستورهاي با موبيليتي الكترون بالا) وجود داشته در حالي كه در ترانزيستورهاي با تكنولوژي CMOS پيشرفت هاي نامحسوسي در سوئيچ هاي نيمه هادي از سال 1985 تا 2000 وجود داشت. در سالهاي 1980، فركانس قطع ترانزيستورهاي CMOS حدود 500MHz بود و اخيراً حدود 100MHz است. در حالی كه در سال هاي 1980، فركانس قطع ابزار GaAs HEMT، حدود 10-20GHz بود و حالا بالاي 800GHz است. البته فرکانس قطع ديودهاي GaAs و Inp p-i-n از 500GHz در سال 1985 به تنها 2000GHz در سال 2001 رسيد. به طور واضح يك تكنولوژي جديد نياز بود تا فركانس قطع سوئيچها را براي كاربردهاي كم تلفات به فركانسهاي بالاتر ببرد و اين بوسيله RF MEMS به دست می آید.

تعداد صفحه : 85

قیمت : شش هزار تومان

 

بلافاصله پس از پرداخت ، لینک دانلود به شما نشان داده می شود

و به ایمیل شما ارسال می شود.

پشتیبانی سایت :       ———- (فقط پيامک)        serderehi@gmail.com

در صورتی که مشکلی با پرداخت آنلاین دارید می توانید مبلغ مورد نظر برای هر فایل را کارت به کارت کرده و فایل درخواستی و اطلاعات واریز را به ایمیل ما ارسال کنید تا فایل را از طریق ایمیل دریافت کنید.

*********  ********** *********

دسته بندی : مهندسی برق